磁控溅射沉积制备SnSe薄膜及其热电性能研究

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：z09tt

【摘要】

：

因为晶体结构以及热电性能各向异性,硒化锡(SnSe)沿b轴方向表现出优异的热电性能,受到业内的广泛关注。但关于SnSe薄膜研究的报道较少。本研究利用磁控溅射技术,将SnSe沉积到

【作者】

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崔岩乔吉祥赵洋邰凯平万晔

【机构】

：

沈阳建筑大学材料科学与工程学院,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2021年4期

【关键词】

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SnSe薄膜磁控溅射热电性能织构功率因子

【基金项目】

：

科技部重点研发计划资助项目(2017YFA0700702,2017YFA0700705,2019QY(Y)0501),国家自然科学基金资助项目(52073290,51927803,51571193),辽宁省优秀青年基金资助项目(2019-YQ-08),沈阳市中青年科技创新人才支持计划资助项目(RC200290),国防科技基础加强计划技术领域基金资助项目(2020-JCJQ-JJ-482),2020

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因为晶体结构以及热电性能各向异性,硒化锡(SnSe)沿b轴方向表现出优异的热电性能,受到业内的广泛关注。但关于SnSe薄膜研究的报道较少。本研究利用磁控溅射技术,将SnSe沉积到Si/SiO₂基底得到SnSe薄膜,分析了沉积温度对SnSe薄膜结构和热电性能的影响。结果显示:沉积温度升高,晶粒尺寸相应增加,薄膜的结晶质量也随之提高。在573 K的沉积温度条件下,能获得高结晶质量和良好化学计量比的(111)取向SnSe薄膜,该薄膜具有约为1.25μW/(cm·K²)

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