论文部分内容阅读
利用射频磁控溅射法结合后期退火处理,在Si(100)基片上制备了一系列的(Ld2/3Bal/3)(Cu0.15M.0.85)03(LBCMO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描隧道显微镜(STM)、X射线光电子能谱(XPS)、标准四探针法等手段对薄膜进行了相结构、微结构特征、表面化学状态以及室温与液氮下的磁电阻随磁场变化特性等的测试,结果表明薄膜在750℃就已形成正交钙钛矿结构,900℃时晶相变得更加完整,晶体内部各部分变得更加均匀。随着退火温度的升高,晶粒迅速长大,颗粒间的氧空位逐渐消失,晶格氧含量增