【摘 要】
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由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能.因此,丈中构建了
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由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能.因此,丈中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,分析了输入电容Ciss对射频功率放大电路的驱动电路设计的影响.实验结果和理论分析保持了很好的一致性.理论分析和实验均表明,在射频MOSFET功率放大器的设计中,充分考虑输入电容Ciss的影响,可以提高驱动电路的驱动能力和放大器的性能.
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