Ti掺杂SnO_2半导体固溶体的第一性原理研究

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Ti掺杂SnO2固溶体是钛基氧化物耐酸阳极的重要组成部分.采用基于密度泛函理论的第一性原理对Sn1-xTixO2(x=0,1/12,1/8,1/6,1/4,1/2,3/4,5/6)固溶体的电子结构进行计算,分析了能带结构、电子态密度和电荷密度以及晶格参数的变化.结果表明,Ti掺入SnO2晶格后,其晶格参数随组分增加近似呈直线降低,Ti—O键的共价性强于Sn—O键.掺杂后带隙仍为直接带隙,且随着掺杂比例的增加,带隙逐渐减小.当掺杂比例x=0.5时,形成能达到最低值(-6.11 eV),固溶体最稳定.本文的计
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