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系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响.通过优化各工艺参数,成功地制备出光暗电导比达104的非晶硅薄膜和晶粒尺寸达微米量级的晶相良好的多晶硅薄膜.
硅薄膜的热丝法淀积
【摘 要】
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系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响.通过优化各工艺参数,成功地制备出光暗电导比达104
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京100088
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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2004年期
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