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半导体器件的性能要求越来越高,在14nm以及其以下工艺节点中,鳍式场效应管(Fin FieldEffect Transistor,FinFET)因为先进的性能,成为高端SOC(systemonchip)的必然趋势,本文将介绍Finfet技术的发展现状以及其技术瓶颈.
14纳米及其以下的Finfet工艺概述和瓶颈分析
【摘 要】
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半导体器件的性能要求越来越高,在14nm以及其以下工艺节点中,鳍式场效应管(Fin FieldEffect Transistor,FinFET)因为先进的性能,成为高端SOC(systemonchip)的必然趋势,本文将
【机 构】
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无锡职业技术学院
【出 处】
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数码世界
【发表日期】
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2019年12期
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