H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lelouchX

【摘要】

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作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂

【作者】

：

邬瑞彬候永洪根深龚敏

【机构】

：

四川大学物理系

【出处】

：

四川大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

6HSiC 欧姆接触氢化退火互扩散

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作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H-SiC中的Si元素互扩散所致.

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