硅-硅直接键合制造静电感应器件

来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yzmxfyzm

【摘要】

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静电感应器件(Static Induction Device,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题.用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构

【作者】

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陈新安刘肃黄庆安

【机构】

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兰州大学,东南大学

【出处】

：

电力电子技术

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

电力半导体器件/静电感应器件硅-硅直接键合掩埋栅结构 power semiconductor device/SID Si-SiDB buried gat

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静电感应器件(Static Induction Device,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题.用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构--键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGKo通过SITH器件的研制,证明了键合掩埋栅结构能够提高VGK和整个器件的电学性能.

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