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本文主要介绍一种新型的改善GaN材料p型欧姆接触特性的方法，即采用电子束蒸发技术在InGaN层上沉积一层ITO薄膜，然后通过感应耦合等离子体技术（ICP）对ITO进行轰击。通过XPS测试分析可知，ICP轰击ITO过程中，ITO中的In原子扩散至p-GaN层。通过在p-GaN上方制作欧姆接触并进行I-V测试，结果表明In掺杂后样品p型欧姆接触特性得到改善。