论文部分内容阅读
利用Al/SRO/SiMOS。对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究。用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C—V测量研究其电荷俘获性质。发现对于n型Si衬底,在横向电压作用下,SRO层能够俘获正电荷,电荷俘获效应与SRO层的性质有关。基于电位在器件内部的分布及诱导pn结的形成,提出了一个简单的物理模型来解释所得到的实验结果。