AlGaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zldzhang

【摘要】

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鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的

【作者】

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陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁

【机构】

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华南师范大学光电子材料与技术研究所

【出处】

：

量子电子学报

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管 DH—LED AL组分铝镓铟磷材料 AlGaInP LED Al composition

【基金项目】

：

国家科技攻关项目

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鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强.这个最佳A1组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义.

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