PZT薄膜反提拉生长的PbO挥发与退火条件研究

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通过一新的溶胶-凝胶工艺:反提拉涂膜方法,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了PZT(Zr/Ti=52/48)铁电薄膜。并研究了退火工艺及其PbO的挥发对薄膜微结构、表面形貌、取向、及铁电性能的影响。本文首次提出并应用反提拉涂膜技术制备了PZT薄膜。此技术相对于传统的溶胶-凝胶工艺具有以下几方面的优点;操作控制简单方便、成本低、原料利用率高、无污染等。研究发现PZT薄膜通过增加PT晶种层后可以抑制PbO的挥发。同时薄膜呈现较强的(110)取向;在薄膜的退火处理过程中
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