【摘 要】
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在无催化剂条件下,以CH3SiCl3为前驱体,采用化学气相沉积技术(CVD)在C/C复合材料表面制备SiC纳米线。SEM形貌表明:CVD产物有大量数十微米长的纳米线,部分纳米线团聚呈球状,同时
【基金项目】
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Project(201206375003)supported by the China Scholarship Council
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在无催化剂条件下,以CH3SiCl3为前驱体,采用化学气相沉积技术(CVD)在C/C复合材料表面制备SiC纳米线。SEM形貌表明:CVD产物有大量数十微米长的纳米线,部分纳米线团聚呈球状,同时也发现类似带刺板栗外壳的短纳米线聚集,且纳米颗粒在其表面沉积等现象。XRD、拉曼光谱和红外光谱分析结果表明,此产物为典型的β-SiC。TEM形貌表明,此类纳米线的直径分布范围为10~100 nm,一些较细的纳米线可通过无定形SiC与较粗的纳米线结合在一起。在一根较粗SiC纳米线的无定形区域长出一根与其直径相近的分支,
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