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提出了一种应用于超高频RFID的集成自干扰抵消电路,它主要由一个6位有源移相器、一个3位可控增益功率放大器和缓冲器组成。有源移相器采用可降位的编码方式,简化了数字逻辑。可控增益功率放大器通过采用电容补偿技术和偏置点的优化选取来提高线性度。该自干扰抵消电路在130nm CMOS工艺下实现,采用1.5V和3.3V双电源供电。后仿真结果显示,针对8dBm的自干扰信号,该电路在840~940 MHz带宽内的自干扰抑制比大于28dB。