非晶硅锗薄膜太阳电池的模拟研究

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利用AMPS程序模拟研究了非晶硅锗薄膜太阳电池的窗口层材料和厚度以及背接触势垒对电池光伏性能的影响。模拟发现带隙为1.92 e V的非晶硅碳更适合作为太阳电池的窗口层,且窗口层越薄电池的性能越好。模拟还发现,背接触势垒越低,则电池的光伏性能越好,当背接触势垒在0.11-0.51 e V的范围内时电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响。
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