【摘 要】
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利用射频(RF)磁控溅射法沉积(002)ZnO薄膜和SiO 2薄膜于Si基底,研制(002)ZnO/IDT/SiO 2/Si结构的声表面波延迟线,并通过3D有限元法仿真分析该结构所激发的瑞利波的声学特性,
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院,南京大学声学研究所近代声学实验室
【基金项目】
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国家青年科学基金资助项目(11304160),江苏省高校自然科学基金资助项目(13KJB140008),南京邮电大学基金资助项目(NY213018)
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利用射频(RF)磁控溅射法沉积(002)ZnO薄膜和SiO 2薄膜于Si基底,研制(002)ZnO/IDT/SiO 2/Si结构的声表面波延迟线,并通过3D有限元法仿真分析该结构所激发的瑞利波的声学特性,如相速度、机电耦合系数k 2等。通过实验验证,发现二者吻合较好。分析了ZnO薄膜的厚度对瑞利波特性的影响发现,当ZnO厚为8μm时,k 2取得最大值(为3.88%)。同时,分析了(110)ZnO/IDT/SiO 2/Si结构所激发瑞利波的声学特性,结果显示,当ZnO薄膜的厚为8μm时,k 2取得最大值(为
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