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退火温度对铟锡合金薄膜结构和性能的影响
退火温度对铟锡合金薄膜结构和性能的影响
来源 :真空与低温 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yzlang
【摘 要】
:
采用铟锡合金作为溅射源,通过直流反应磁控溅射和在大气环境下高温退火,制备出了性能优良的ITO薄膜,其太阳光谱透射率大于90%。在放电参数、工作气体压力、反应气体流量、沉积时间等工
【作 者】
:
李强勇
许民
【机 构】
:
兰州物理研究所
【出 处】
:
真空与低温
【发表日期】
:
2000年3期
【关键词】
:
光学特性
电学特性
铟锡合金薄膜
结构
退火温度
ITOtransparent conductive thin film optical property el
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采用铟锡合金作为溅射源,通过直流反应磁控溅射和在大气环境下高温退火,制备出了性能优良的ITO薄膜,其太阳光谱透射率大于90%。在放电参数、工作气体压力、反应气体流量、沉积时间等工艺参数相同的条件下,研究了退火温度对薄膜表面形貌、化学成分、晶体结构、光学和电学性能的影响。
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