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对渗气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭（ta-C）膜实施氧等离子体刻蚀，消除其表面石墨层后，发现：原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱，表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法，测定了其表层的消除（程度）。样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用，可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故．