切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究
GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shen888
【摘 要】
:
通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°~60°,
【作 者】
:
唐君
陈弘达
梁琨
杜云
杨晓红
吴荣汉
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年z1期
【关键词】
:
RCE光电探测器
量子效率
GAAS
【基金项目】
:
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312080,2003AA312040),国家自然科学基金(批准号:60377011)资助项目
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°~60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.
其他文献
用GSMBE法生长匹配型GaInAsP/InP材料及量子阱、面发射激光器结构的研究
本文报道通过在位组分调整,配合X射线双晶衍射测试和光致发光测试,生长了与InP精确匹配的GaInAsP/InP(失配度达4×10^-4),生长了GaInAsP/InP妲子阱结构的光致发光半峰宽达5.7
期刊
GAINASP/INP
磷化铟
GSMBE法
生长
激光器
量子阱
Photoluminescence
Semiconductor lasers
Semicon
退火对CdZnTe晶体质量的影响
我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等,研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响。结果表明,在Cd气氛中,700℃,退火5小时以上,能大量地去除晶片中的Te沉淀,提高其红外透射比;同时,退火也导致了晶片表面的损
期刊
化含物半导体
晶体质量
退火
美国学校图书馆员能力标准(2010)解读
美国的学校图书馆及图书馆员在美国年轻一代的成长、教育乃至整个社会发展中发挥着重要作用。学校图书馆员通常在上岗前需要取得相关能力资格认证,美国学校图书馆员能力标准是
期刊
美国
学校图书馆员
ALA/AASL标准
America
school libraries
ALA/AASL standard
现代汽车发展及其减重节能的要求
近年来,随着能源危机、石油价格不断上升以及地球温室效应加重,世界各国对能源和一氧化碳排放引起的环境问题更加重视,纷纷制定和采取各种严格的措施进行控制。在汽车领域,应对环
期刊
汽车发展
节能
减重
现代
能源危机
环境问题
二氧化碳
汽车排放
给煤机调试、控制方法总结
陕西国华锦界电厂#1机组给煤机为CHEC中国华电电站装备工程总公司生产的GM—BSC21型称重式计量给煤机,其工作原理、调试方式均与以往工程不同,本文将集合实际安装、运行情况进
期刊
工作原理
故障
调试
Discussion on the Symbolic Meanings of The Old Man and the Sea
期刊
英语学习
学习方法
阅读知识
阅读材料
Symbolic meaning
Hemingway
deeper stuff
新建本科院校使命分析研究
摘要:新建本科院校属于社会组织,其存在是为了实现其创设之初被赋予的组织使命。新建本科院校要实现“应该做什么”的目标,就需要承担应有的使命。本文以探讨“大学使命”为切入
期刊
新建本科院校
转型发展
大学使命
发挥民族民俗文化优势 推进青海旅游业发展
青海作为中华民族发祥地,长江黄河的源头,拥有深厚的历史文化底蕴,青海的民族民俗文化在中华民俗文化中占有重要的地位,尤其是在西部文化中。青海拥有丰富的民俗文化,鲜明的
期刊
民族民俗
文化优势
青海旅游业
基坑工程中对地下水的处理方法分析
基坑工程中,地下水的处理是一个十分重要的问题。本文对几种常用的地下水处理方法进行了分析.正确认识各种土体的渗透规律,恰当选择合理的处理方法,科学设计止水结构是深基坑地下
期刊
基坑工程
地下水
处理
MOCVD GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制
本文用MOCVD法研究了GaInP及其掺Zn材料的生长和特性,并进行了生长速率对生长动力学,Zn的掺杂效率,In的组分,表面形貌,电学性质的影响研究。
期刊
掺杂
锌
MOCVD
GAINP
发光材料
Concentration (process)
Semiconductor doping
与本文相关的学术论文