【摘 要】
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用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响.计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列.Mn掺杂导致
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
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用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响.计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列.Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变.Mn分布无序使空穴的局域性加强.总能计算结果表明(Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇.
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