【摘 要】
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采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了（002）择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所
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采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了（002）择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2~4.4GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361ns,插入损耗为-57.3~-60.4dB,3次渡越抑制为28.6dB,直通信号抑制为52.7dB。
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