【摘 要】
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用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽2
【机 构】
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中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室 北京 100083
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用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm~(-2)。
A high-quality GaAs epitaxial layer was grown on a p-type Si substrate by a three-stage growth method using a domestic molecular beam epitaxy apparatus (type IV). The test sample is 2μm thick and the n-type doping concentration is 5 × 10 ~ (16) cm ~ (-3). The measurement results show that the full width at half maximum of the X-ray birefringence curve is 225 arcsec; the full width at half maximum of low temperature fluorescence spectrum is 5 meV at 10K, and the surface dislocation density is 10 ~ 6cm ~ (-2).
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