【摘 要】
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粒子入射半导体RAM存贮器,使其产生软错误的现象,已在国外广泛报道,这种现象严重影响了未来超大规模集成电路的设计和发展,在超大规模集成电路的设计中,首先要考虑的因素是电
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粒子入射半导体RAM存贮器,使其产生软错误的现象,已在国外广泛报道,这种现象严重影响了未来超大规模集成电路的设计和发展,在超大规模集成电路的设计中,首先要考虑的因素是电荷收集效率和电荷收集随时间变化的情况。利用超大规模集成电路工艺制造的RAM存贮器,其结电容的面积非常小,结电容充电所需的电量也很小,因此单个α粒子入射所产生的非平衡载流子就足以使结电容充放电,从而使RAM存贮器的存贮信息丢失,这种信息丢失现象是随机的。非循环的、单端位的错误,它不是永久性的,即:发生错误的端位无物理损伤,因此叫做“软错误”实
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