【摘 要】
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AlN晶体的物理气相传输（PVT）法生长条件要求苛刻,如0.35 atm的高纯氮气生长气氛和21002400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器（PLC）进行适用于氮
【机 构】
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深圳大学光电工程学院、光电子器件与系统（教育部/广东省）重点实验室,深圳市统先科技股份有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(11447029);深圳市科技计划项目(20160520174438578)
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AlN晶体的物理气相传输（PVT）法生长条件要求苛刻,如0.35 atm的高纯氮气生长气氛和21002400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器（PLC）进行适用于氮化铝（AlN）晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长
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