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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｎｄ离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层，用ＸＲＤ分析了掺杂层的物相，用ＡＥＳ分析了掺杂层中离子的浓度分布，分析表明，在强流钕离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量，束流密度及后续热处理条件的改变而变化，还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。
钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究
【摘 要】
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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｎｄ离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层，用ＸＲＤ分析了掺杂层的物相，用ＡＥＳ分析了掺杂层中离子的浓度分布，分析表明，在强流钕离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量，束
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1999年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金!59501004,教育部射线束与材料工程开发实验室基金
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