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在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用高精度椭偏仪(HPE)同步测量样品的纳米结构.采用XES分层对锗原子成份检测的结果与HPE的结果基本一致.用RAMAN光谱仪测量样品的横断面,发现很强的PL发光谱峰.用量子受限模型和改进的量子从头计算(UHFR)方法分析了PL光谱的结构.