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文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源
【摘 要】
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文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数
【机 构】
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东南大学微电子中心．江苏南京210096
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年03期
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