新型多栅全耗尽SOI器件研究进展

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ahjon

【摘要】

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随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效

【作者】

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【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2007年3期

【关键词】

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随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题.本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平面双栅、FinFET、三栅、环绕栅、G4-FET等新型多栅全耗尽SOI器件的研究进展.

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