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氟化非晶碳（a-C：F）薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点，普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一．结合研究实践，综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术、工艺参数及性能检测技术，指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因．图4表2参16（曾革）
半导体技术——低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测
【摘 要】
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氟化非晶碳（a-C：F）薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点，普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一．结合研究实践，综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的
【机 构】
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湖南涉外经济学院电气与信息工程学部,不详
【出 处】
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中国学术期刊文摘
【发表日期】
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2008年16期
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