【摘 要】
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本文报道了用改进的液相外延技术制作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ分别限制单量子阱激光器，将其端面分别蒸镀增透膜和高反膜后，激光器输出功率提高近１倍。用此ＬＤ端面泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，当泵浦源输出２．７Ｗ时，得到了７００ｍＷ连续激光
【机 构】
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长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
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本文报道了用改进的液相外延技术制作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ分别限制单量子阱激光器，将其端面分别蒸镀增透膜和高反膜后，激光器输出功率提高近１倍。用此ＬＤ端面泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，当泵浦源输出２．７Ｗ时，得到了７００ｍＷ连续激光输出
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