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在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄膜的可控生长,并对其发光进行了研究.
硅基半导体中埋置硅量子点的低温生长与发光研究
【摘 要】
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在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄膜的可控生长,并对其发光进行了研究.
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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山西大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2007年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金（10404034,10574147,50472070,60021403）,国家“863”计划（2003AA302170）
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