【摘 要】
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用热解吸和静态贮存方法对贮氚非晶态ZrV2合金膜中3 He的释放行为进行了系统分析。结果显示：3 He原子存在597.3、725.8和1 146.6K等3个解吸峰,其中第3解吸峰的解吸量最大,是由
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川大学材料科学系
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50871106）
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用热解吸和静态贮存方法对贮氚非晶态ZrV2合金膜中3 He的释放行为进行了系统分析。结果显示：3 He原子存在597.3、725.8和1 146.6K等3个解吸峰,其中第3解吸峰的解吸量最大,是由非晶态基体中的3 He释放形成;在长达2 423d的静态贮存期间,非晶膜中3 He原子的释放系数始终在10-5量级范围内波动并呈线性上升趋势,但仍未加速释放;贮存温度变化会引起释放系数剧烈波动;与贮氚晶态ZrV2合金膜相比,非晶膜的固氦能力显著增强。上述结果初步证实了非晶合金具有良好的固氦性能,这有助于人们从全新
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