【摘 要】
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采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻（R□）及电阻温度系数（TCR）的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻（R□）及电阻温度系数（TCR）的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12Ω/□增加到24Ω/□,TCR从15×10^-6/℃下降到-80×10^-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。
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