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直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一，而晶体生长界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感，采用实验的方法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的，因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如何影响晶体生长的质量的，而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容，为单晶硅的生长提供有利的指导．本文采用低雷诺数的K—ε紊流模型，对直径300mm的大直径单晶硅生长进行了数值模拟，通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析，阐明了勾形磁场影响熔体流动的机理．