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讨论了硅的压阻效应,利用简化的力学模型设计了高g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图,并制备出样品,测试结果表明本传感器加速度可大于8 000g.
一种压阻式高g值加速度传感器
【摘 要】
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讨论了硅的压阻效应,利用简化的力学模型设计了高g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图,并制备出样品,测试结果表明本传感器加速度可大于8 000g.
【机 构】
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东南大学MEMS重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年3期
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