【摘 要】
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本文旨在研究Mg2Si半导体薄膜的制备过程中,蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。通过采用电阻式热蒸发及退火工艺的制备方法制备了Mg2Si半导体薄膜。在低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处
【机 构】
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贵州师范学院物理与电子科学学院,贵州师范学院贵州省纳米材料模拟与计算重点实验室
【基金项目】
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the National Natural Science Foundation of China（51503048）and the Construction Project of Key Laboratories from the Education Department of Guizhou Province（No.QJHKY[2015]329）and the grant of Guizhou
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本文旨在研究Mg2Si半导体薄膜的制备过程中,蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。通过采用电阻式热蒸发及退火工艺的制备方法制备了Mg2Si半导体薄膜。在低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处理4h条件下,研究在80A蒸发电流时,不同蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。并采用扫描电镜手段对实验形成的Mg2Si薄膜的结构进行了表征。最后得出结论：低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处理4h条件下,蒸发时间为16min是制备高质量Mg2Si半导体薄膜的最佳蒸发时间。
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