降低建筑膜材小分子物质迁移性的研究

来源 :新型建筑材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rambo0316
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
为解决PVC建筑膜材在使用过程中存在的增塑剂迁移问题,采用大分子聚酯增塑剂替代部分小分子增塑剂涂层制得PVC建筑膜材,并对膜材进行硬挺度、白度、红外光谱、DSC、力学性能等测试分析。结果表明,采用相对分予质量为2000的大分子聚酯增塑剂与小分子增塑剂DINP进行复配,且复配质量比为1:1时,膜材性能较好,增塑剂的迁移率大大降低。
其他文献
介绍了利用网络技术与单片机技术组成一种通用型电气控制电路考试系统,该考试系统可以自动生成试题,并进行自行考试与评分过程,具有智能化程度高、公正度强、实用性广等特点
采用复合的聚氧化丙烯二醇(N220)、聚氧化丙烯三醇(N330)与甲苯二异氰酸酯(TDI)以及添加剂为原料合成了单组分聚氨酯防水涂料。试验结果表明,取n(N220):n(N330)=(3.5:1.0)~(4.0:1.0),-NC0含量控制在4%,
为了明确山西省不同地区玉米大斑病之间存在的差异,分别从侯马、阳曲、静乐、屯留岭上4个地区采集到病叶标样,经单孢分离得到大斑病病菌,通过不同温度、光照及培养基,对这4个地区
为减少钙果在收获中的机械损伤,对品系为农大5号的钙果果实的3轴尺寸、密度、结实度以及采摘力进行了分析。结果表明:农大5号在采收时期的平均粒径大小呈正态分布;随着果实成
当器件特征尺寸不断微缩至深纳米时,短沟道效应严重恶化了传统平面MOSFET器件的性能,非平面鳍式场效应晶体管(FinFET)成为了20纳米工艺节点以下普遍采用的器件。随着集成电路工艺技术持续进步,FinFET结构尺寸缩减进一步受到限制,环栅场效应晶体管(GAAFET)因其强栅控能力以及良好的短沟道抑制能力被广泛认为在5纳米工艺节点以下将取代FinFET。与此同时,可靠性问题一直是制约纳米器件和电路
对国内外玻纤空气滤纸的性能特点和发展动态以及存在的问题,进行了介绍和分析,供生产应用该类产品的从业者参考。
本文提出一种新型的应用于钢框架结构的耗能隅撑组合节点,即考虑楼板影响的钢框架耗能隅撑节点,将耗能隅撑布置在梁柱节点连接处附近,使耗能隅撑能够进行屈服耗能,采用低屈服点的Q235钢材来制作耗能隅撑的芯材,将槽钢设置在芯材两侧来约束耗能隅撑的受压屈曲,带有耗能隅撑的钢框架节点可提高钢框架结构的抗侧移刚度;在梁柱节点上加装混凝土楼板,研究楼板的组合效应对梁柱节点抗震性能的影响,更加贴近实际情况;在地震作
超大规模集成电路生产对于生产环境中化学污染控制指标的要求日趋严格。本文介绍几项在净化空调系统设计中采用的污染控制技术措施。
通过对18个用混凝土多孔砖砌筑试件的抗压试验,讨论了混凝土多孔砖砌体的裂缝发展特点和变形规律。根据18个试件的抗压试验结果,建立了抗压强度计算公式和混凝土多孔砖砌体的抗
教育是提高国民素质的重要途径,青少年时期的教育是一国劳动力素质养成的重要基础,学业成就是反映青少年受教育水平的重要指标。基于Bronfenbrenner(1979/1992)的生态系统理论,选择中国教育追踪调查2014-2015年追访数据,采用因子分析与结构方程模型相结合的研究方法,从个人因素、家庭因素和学校因素三个方面入手,研究内外驱力对初中生学业成就的影响。中国教育追踪调查2014-2015年