【摘 要】
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综述当前GeSi/Si、GaAs/GaAlAs、HgCdTe、PtSi和GaN光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术-分子束外延制备的GeSi/Si等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探
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综述当前GeSi/Si、GaAs/GaAlAs、HgCdTe、PtSi和GaN光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术-分子束外延制备的GeSi/Si等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。
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