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通过固相反应法制备了掺杂0．5％（摩尔比）Gd和10％（摩尔比）Sn的BaTiO3陶瓷材料，并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究。结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动，材料的介电常数显著增加。其中同时对BaTiO3的A位掺杂0．5％的Gd，对B位掺杂10％的Sn时，其居里点降至60℃，介电常数在0．005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000，而对应的tgδ分别为0．053、0．066、0．092。