【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法,在Si（100）和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度（500℃,600℃和700℃）对薄膜结构和铁磁性能的影响。XRD和拉曼光谱结果表明,随
【机 构】
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中山大学物理学院,中山大学材料科学与工程学院
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采用溶胶-凝胶法,在Si（100）和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度（500℃,600℃和700℃）对薄膜结构和铁磁性能的影响。XRD和拉曼光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶化度明显提高。不同退火温度下的3%Co掺杂CeO2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO2原有的结构。随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。另外,3%Co掺杂CeO2薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其室温下的光学带隙Eg随退火温度增加而减小。超导量子干涉磁强计（SQUID）测量表明所有样品都
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