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将一薄层Sb2S3置于Cu（InGa）Se2（CIGS）薄膜与Mo薄膜之间,于不含硒源的惰性气氛中退火,发现随Sb2S3厚度的增加,CIGS薄膜的晶粒尺寸显著增大,薄膜的择优生长面由（112）晶面向（220/204）晶面转变。为阐明晶粒的生长机理,研究退火温度对Sb2S3掺杂的CIGS薄膜的晶粒尺寸和物相的影响规律,发现薄膜在450～500℃之间晶粒尺寸增大显著。在实验结果的基础上提出一种气相促进晶粒生长的模型和液相促进晶粒生长的模型。