磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质

来源 :中国科学(A辑) | 被引量 : 4次 | 上传用户：yanghaibin123

【摘要】

：

在低温 ( 80～ 1 0 0℃ )常压下用Na3P分别和GaCl3,InCl3反应制备了GaP ,InP纳米材料 ,对材料的物相结构和微观形貌进行了表征 .研究了GaP纳米晶体在氮气中的表面反应活性 ,该纳米晶体的重量在 370～ 4 80℃之间会增加 ,可以认为氮气分子被吸附在了GaP纳米晶体的表面并发生了活化反应 .

【作者】

：

潘教青崔得良黄柏标周海龙蒋民华

【机构】

：

山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100,济南250100,济南

【出处】

：

中国科学(A辑)

【发表日期】

：

2001年09期

【关键词】

：

磷化镓磷化铟纳米材料表面反应活性

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