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提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数。利用ADS建立噪声模型,在2-20 GHz频率范围内,仿真结果与测量结果吻合良好,验证了模型的准确性。
一种改进的深亚微米MOSFET噪声模型
【摘 要】
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提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数。利用ADS建立噪声模型
【机 构】
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华东师范大学信息科学与技术学院
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2015年5期
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