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期刊论文
多晶硅三端有源矩阵的进展
多晶硅三端有源矩阵的进展
来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wanily1123
【摘 要】
:
非晶硅材料的开关速度及驱动电流小,无法用于液晶显示的驱动集成电路。而多晶硅具有两方面的优势:一是高迁移率(10~100cm~2/V·s),可为象素提供足够大的电流以达到高速驱
【作 者】
:
禹芳
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
光电子技术
【发表日期】
:
1992年2期
【关键词】
:
多晶硅
有源矩阵
薄膜晶体管
polysilicon
active-matrix
amorphous silicon
TFT
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非晶硅材料的开关速度及驱动电流小,无法用于液晶显示的驱动集成电路。而多晶硅具有两方面的优势:一是高迁移率(10~100cm~2/V·s),可为象素提供足够大的电流以达到高速驱动;二是行扫描器以及灰度等级驱动器可在显示器的玻片上制成,这将大大地降低学引线的数目、价格和增加可靠性。
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