论文部分内容阅读
论述了超高速ＧａＡｓ微波ＰＩＮ二极管的研制情况。从ＧａＡｓ高阻外延生长着手，采用垂直台面结构，控制Ｉ层浓度为１０１３～１０１４／ｃｍ３，厚度为２．５～１０μｍ。通过闭管Ｚｎ扩散形成Ｐ—Ｎ结，用Ｔｉ－Ａｕ及Ａｕ－Ｇｅ－Ｎｉ作上、下欧姆接触，研制出ＧａＡｓ微波ＰＩＮ二极管。通过测量其正向特性、容压特性、开关特性以及在典型开关电路中的应用，可以看出该器件在开关速度方面的性能尤其优越。