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为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率。采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P＋的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于0.1μm,形成了P＋/P-型光敏区自建电场,满足BE背端处理的要求。