【摘 要】
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用旋涂玻璃作为粘合剂,把两块硅片粘合在一起,其粘合强度主要取决于表面处理;还通过红外反射光谱测量确定了粘合强度;粘合后,减薄其中一块硅片便得到绝缘层上硅(SOI)结构;5μ
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用旋涂玻璃作为粘合剂,把两块硅片粘合在一起,其粘合强度主要取决于表面处理;还通过红外反射光谱测量确定了粘合强度;粘合后,减薄其中一块硅片便得到绝缘层上硅(SOI)结构;5μm厚的SOI层在高温下是稳定的,而且其电性能不衰降。
Using spin-on glass as an adhesive, the two wafers are bonded together and the bond strength is mainly determined by the surface treatment; the bond strength is also determined by infrared reflectance spectroscopy; after bonding, the thickness of one of the silicon An SOI structure is obtained on the wafer; a 5 μm thick SOI layer is stable at high temperatures and its electrical properties do not degrade.
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