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本文讨论如何利用VMOS(V形槽金属氧化物半导体)功率场效应晶体管来改善开关电源的性能。
VMOS管推挽变换器设计
【摘 要】
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本文讨论如何利用VMOS(V形槽金属氧化物半导体)功率场效应晶体管来改善开关电源的性能。
【出 处】
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电讯技术
【发表日期】
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1982年05期
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