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基于密度泛函理论,计算了Y以及In掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质。结果表明Y以及In掺杂BaSnO3体系结构稳定,且均为p型透明导电材料,在可见光区透过率大于85%,且Y以及In掺杂BaSnO3体系的导电性明显得到了改善。
P型掺杂BaSnO3的电子结构和光学性能的第一性原理研究
【摘 要】
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基于密度泛函理论,计算了Y以及In掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质。结果表明Y以及In掺杂BaSnO3体系结构稳定,且均为p型透明导电材料,在可见光区透过率大于85%,且Y以
【机 构】
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湖北民族学院理学院; 西北工业大学理学院凝聚态结构与性质陕西省重点实验室;
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金(61078057,51172183,51202195);湖北民族学院博士人才基金;湖北民族学院博士科研启动基金
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