【摘 要】
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利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6
【机 构】
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利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景
The SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) is fabricated with 3μm process conditions. The minimum frequency noise figure of the device with the characteristic frequency of 8GHz.60 0 MHz is 1.04d B and the relative power gain is 12.6d B, The minimum noise figure at 1 GHz operating frequency is 1.9 dB and the associated power gain is 9 dB, making the device of great promise in microwave radio communications
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